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SI7386DP-T1-E3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- SI7386DP-T1-E3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，专为高功率密度和空间受限的应用设计。其关键特性包括30V的最高栅源电压VDSS，以及高达70A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电流承载能力。更值得关注的是，该器件具备极为优秀的导通电阻RD(on)，仅为5.7mΩ，能在大电流工作状态下显著减少功率损耗，提升整体系统的能效比。SI7386DP-T1-E3 MOS管广泛适用于电源管理、马达驱动等各种高要求的电子应用场合。
- 商品型号
- SI7386DP-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366427
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTMFS4926N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 80 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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