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IRFH7914PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- IRFH7914PbF N沟道MOS管采用先进的DFN5X6-8L封装，体积小巧，适用于高密度电路设计。其拥有30V的额定电压VDSS和高达70A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。特别值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效。无论是电源管理还是高速开关应用，这款MOS管都能提供卓越的性能表现。
- 商品型号
- IRFH7914PBF-HXY
- 商品编号
- C22366423
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
IRFR2405PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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