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DMN2040LTS-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6A的电流承载能力和20V的电压耐受性。其内阻典型值为21mΩ，确保了较低的功耗。VGS为12V，使得该器件在适当的栅源电压下能发挥最佳性能。适用于多种高性能电子设备，如电源管理、信号放大及开关电路等，为您的设计提供可靠且高效的解决方案。
- 商品型号
- DMN2040LTS-HXY
- 商品编号
- C22366416
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
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