DMN2040LTS-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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描述
DMN2040LTS 型MOS管，采用紧凑型TSSOP-8封装，适合空间受限的设计需求。此款N+N沟道MOSFET以其优秀的电气特性脱颖而出，拥有20V的最大耐压值和6A的连续漏极电流，确保在多种应用场景下稳定运行。其亮点在于低至21mΩ的导通电阻，显著减少功率损耗，提高能源利用率。广泛适用于开关电源、LED照明驱动、电池管理系统等领域，是高效能电子设备的理想组件选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMN2040LTS-HXY商品编号
C22366416商品封装
TSSOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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