温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN86501LZ-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDN86501LZ 型号MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装，尤其适合现代精密电路设计要求。作为一款N沟道MOSFET，它具备60V的高耐压等级和4.5A的连续漏极电流，能够在严苛的电压电流环境下稳定工作。其核心优势在于70mΩ的超低导通电阻，有效降低了能量损耗，提升系统工作效率。广泛应用于电源转换器、电机控制、负载开关等各种电子设备中，是实现高能效电路设计的理想元件选择。
- 商品型号
- FDN86501LZ-HXY
- 商品编号
- C22366419
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDN86501LZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 4.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 85mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 93mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
相似推荐
其他推荐
- Si2308BDS-T1-GE3-HXY
- AON6380-HXY
- FDMS8680-HXY
- IRFH7914PBF-HXY
- NTMFS4926N-HXY
- NTMFS4927N-HXY
- NTMFS4C290N-HXY
- SI7386DP-T1-E3-HXY
- SIR850DP-T1-GE3-HXY
- FDMS7682-HXY
- NTMFS4821N-HXY
- DMP2045U-HXY
- DMP2066LSN-HXY
- NTR3A30PZ-HXY
- PMV30XPEA-HXY
- Si2323CDS-T1-GE3-HXY
- Si2323DDS-T1-GE3-HXY
- Si2323DS-T1-E3-HXY
- Si2323DS-T1-GE3-HXY
- Si2305CDS-T1-GE3-HXY
- DMP1045U-HXY