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AON6380-HXY

1个N沟道耐压:30V 电流:80A

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描述: AON6380 型号MOS管，采用先进DFN5X6-8L封装技术，结构紧凑，散热性能优秀。作为一款高性能N沟道MOSFET，其具备30V的最高耐压值，以及惊人的70A连续漏极电流能力，充分展现了超强的电力处理性能。尤其引人注目的是仅有5.7mΩ的超低导通电阻，大大提升了能源效率并减少了功率损耗。广泛应用于高功率开关电源、快速充电器、电机驱动等高电流领域，是业界领先的高效能半导体器件解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON6380-HXY
商品编号: C22366421
商品封装: DFN5x6-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.132667克(g)

商品参数

IRFR2905ZPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。