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Si2308BDS-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- Si2308BDS-T1-GE3 型号MOS管，采用小巧的SOT-23-3L封装，适应各类微小空间内集成应用。这款高性能N沟道MOSFET支持高达60V的工作电压，并能在稳定状态下承载4.5A的漏极电流，确保在多种高压大电流条件下可靠运行。其导通电阻低至70mΩ，有效提高了能源转化效率并减少了系统内部能耗。广泛运用于电源管理、马达驱动、负载切换等多种场景，是打造高效节能电子设备的关键组件。
- 商品型号
- Si2308BDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366420
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
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