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SMC8205AGW-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SMC8205AGW-HXY

2个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
SMC8205AGW 型号MOS管,选用节省空间的TSSOP-8封装,专为现代精密电路设计打造。这款高性能N+N沟道MOSFET具有稳定的20V电压额定值和强大的6A连续漏极电流承载能力,保证了卓越的电力控制表现。尤为突出的是,其导通电阻仅低至21mΩ,有助于大幅削减功耗并提升整体效能。适用于包括开关电源、马达驱动、负载开关在内的多元化应用场景,是追求高效节能方案的不二之选。
商品型号
SMC8205AGW-HXY
商品编号
C22366417
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.083克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
配置共漏
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF

数据手册PDF