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SMC8205AGW-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- SMC8205AGW 型号MOS管，选用节省空间的TSSOP-8封装，专为现代精密电路设计打造。这款高性能N+N沟道MOSFET具有稳定的20V电压额定值和强大的6A连续漏极电流承载能力，保证了卓越的电力控制表现。尤为突出的是，其导通电阻仅低至21mΩ，有助于大幅削减功耗并提升整体效能。适用于包括开关电源、马达驱动、负载开关在内的多元化应用场景，是追求高效节能方案的不二之选。
- 商品型号
- SMC8205AGW-HXY
- 商品编号
- C22366417
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.083克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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