立创商城logo
购物车0
FDN5632N-F085-HXY实物图
  • FDN5632N-F085-HXY商品缩略图
  • FDN5632N-F085-HXY商品缩略图
  • FDN5632N-F085-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDN5632N-F085-HXY

耐压:60V 电流:4.5A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
FDN5632N-F085 型号MOS管,采用小型化SOT-23-3L封装设计,特别适应于紧凑空间内的集成应用。这款N沟道MOSFET提供60V的高额定电压及4.5A的稳定漏极电流,可满足多种高电压、大电流场景需求。同时,其导通电阻仅为70mΩ,有助于优化能源效率,降低系统损耗。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等广泛领域,是精简且高效的半导体解决方案。
商品型号
FDN5632N-F085-HXY
商品编号
C22366418
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))73mΩ@10V
耗散功率(Pd)8W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.5nC@10V
输入电容(Ciss)695pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)148pF

数据手册PDF