FDN5632N-F085-HXY
耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- FDN5632N-F085 型号MOS管,采用小型化SOT-23-3L封装设计,特别适应于紧凑空间内的集成应用。这款N沟道MOSFET提供60V的高额定电压及4.5A的稳定漏极电流,可满足多种高电压、大电流场景需求。同时,其导通电阻仅为70mΩ,有助于优化能源效率,降低系统损耗。适用于电源转换、负载开关、电机驱动等广泛领域,是精简且高效的半导体解决方案。
- 商品型号
- FDN5632N-F085-HXY
- 商品编号
- C22366418
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
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