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IRLR3915PBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- IRLR3915PbF 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑高效的TO-252-2L封装，适应现代电子设备的小型化趋势。该器件具有60V的高额定漏源电压(VDSS)，可承载高达50A的连续漏极电流，表现出色的电力处理能力。导通电阻低至11mR，大幅降低了能耗，提升了系统效能。此款MOS管广泛适用于开关电源、电机驱动、充电器等多种场合，是追求高效率、低功耗设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRLR3915PBF-HXY
- 商品编号
- C22366415
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 0.2Ω
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
- LED电源
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