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IRFR2905ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- IRFR2905ZPbF 是一款采用先进封装技术TO-252-2L的高性能N沟道MOSFET器件。其核心参数出色漏源极耐压高达60V，可持续承载50A的大电流，确保在高电压、大电流场景下稳定运行。而11mR的超低导通电阻RD(on)，大大降低了功率损耗，提升了能源利用效率。这款MOS管适用于开关电源、电机驱动、电源管理等各种领域，是实现高能效电子系统设计的理想选择。
- 商品型号
- IRFR2905ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22366414
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMS8680采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 80 A
- RDS(ON) < 6 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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