IRFR2905ZPBF-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

描述

IRFR2905ZPbF 是一款采用先进封装技术TO-252-2L的高性能N沟道MOSFET器件。其核心参数出色漏源极耐压高达60V，可持续承载50A的大电流，确保在高电压、大电流场景下稳定运行。而11mR的超低导通电阻RD(on)，大大降低了功率损耗，提升了能源利用效率。这款MOS管适用于开关电源、电机驱动、电源管理等各种领域，是实现高能效电子系统设计的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRFR2905ZPBF-HXY

商品编号

C22366414

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.392克(g)