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IRFR2405PBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR2405PBF-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
IRFR2405PbF 是一款高性能N沟道MOSFET,封装形式为节省空间且热性能优良的TO-252-2L。该器件具备强大功能最大漏源耐压VDSS高达60V,可提供稳定的50A连续漏极电流,以满足严苛的电力应用需求。尤为突出的是其超低的导通电阻RD(on)仅为11mR,有效减少能量损失,提高整体系统效率。广泛应用在开关电源转换、电动机驱动、电池管理系统等领域,是工程师追求高效能、低功耗设计的理想组件。
商品型号
IRFR2405PBF-HXY
商品编号
C22366413
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.392克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.423nF
反向传输电容(Crss)97pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)145pF

数据手册PDF