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IPD30N06S2-15-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- IPD30N06S2-15 是一款高性能N沟道MOS管，封装类型为节省空间的TO-252-2L。它具备优异的电气参数最高漏源电压VDSS高达60V，能够承受50A的连续漏极电流，展现卓越的负载承载能力。更值得关注的是，其导通电阻仅11mR，有助于显著降低功耗与提高系统效能。此款MOS管适用于各类开关电源、马达驱动控制以及高效节能电子设备，是高端电源管理和电路设计的理想之选。
- 商品型号
- IPD30N06S2-15-HXY
- 商品编号
- C22366412
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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