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IPD30N06S2-15-HXY

1个N沟道耐压:60V 电流:50A

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描述: IPD30N06S2-15 是一款高性能N沟道MOS管，封装类型为节省空间的TO-252-2L。它具备优异的电气参数最高漏源电压VDSS高达60V，能够承受50A的连续漏极电流，展现卓越的负载承载能力。更值得关注的是，其导通电阻仅11mR，有助于显著降低功耗与提高系统效能。此款MOS管适用于各类开关电源、马达驱动控制以及高效节能电子设备，是高端电源管理和电路设计的理想之选。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD30N06S2-15-HXY
商品编号: C22366412
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392克(g)

商品参数

CMSC90P03将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。