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FDD5353-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款MOS管型号为FDD5353 ，采用先进的TO-252-2L封装技术，属于高性能N沟道MOSFET器件。其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力，确保了在大电流环境下的稳定工作。导通电阻仅为11mΩ，有效降低了功率损耗，提升系统能效，特别适用于各类开关电源、电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景。
- 商品型号
- FDD5353-HXY
- 商品编号
- C22366410
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
STN2610D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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