温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUC120N06S5N032ATMA1
N沟道 耐压:60V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常水平，扩展认证超出AEC-Q101。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1，最高260℃峰值回流。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N06S5N032ATMA1
- 商品编号
- C20190982
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.99mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@44uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- 电气特性
- 漏源击穿电压（VDSS） = 1200 V
- 标称漏极电流（IDN） = 150 A / 重复峰值漏极电流（IDRM） = 300 A
- 低开关损耗
- 低电感设计
- 高电流密度
- 机械特性
- 集成安装夹，安装牢固
- PressFIT 接触技术
- 集成 NTC 温度传感器
应用领域
- 不间断电源（UPS）系统
- 高频开关应用
- DC/DC 转换器
- 太阳能应用
相似推荐
其他推荐
- IAUCN04S7N004ATMA1
- IAUCN04S7N005ATMA1
- IAUTN06S5N008ATMA1
- IAUTN06S5N008GATMA1
- IAUTN06S5N008TATMA1
- IAUTN12S5N017ATMA1
- IAUTN12S5N018GATMA1
- IAUTN12S5N018TATMA1
- IGO60R042D1AUMA2
- IGT60R042D1ATMA1
- IMT65R048M1HXUMA1
- IMT65R107M1HXUMA1
- IMYH200R012M1HXKSA1
- IPA95R130PFD7XKSA1
- IPA95R310PFD7XKSA1
- IPA95R450PFD7XKSA1
- IPB013N06NF2SATMA1
- IPB018N10N5ATMA1
- IPB043N10NF2SATMA1
- IPB95R130PFD7ATMA1
- IPC302N15N3X1SA1