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IAUC120N06S5N032ATMA1
N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常水平，扩展认证超出AEC-Q101。 增强型电气测试。 稳健设计。 MSL1，最高260℃峰值回流。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N06S5N032ATMA1
- 商品编号
- C20190982
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.99mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOSTM功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 标准电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 潮湿敏感度等级1(MSL1),最高260°C峰值回流温度
- 175°C工作温度
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用。
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