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IRL640A
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRL640A
- 商品编号
- C130324
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@5V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 18 A、200 V，VGS = 5 V时，RDS(ON) = 180 mΩ
- 低栅极电荷（典型值40 nC）
- 低Crss（典型值95 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 逻辑电平栅极驱动