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FCB110N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:35A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。SuperFET II FRFET MOSFET 具有更快速和更耐用的本征体二极管性能和快速开关，尤其在谐振开关应用中可实现更佳可靠性和高能效。SuperFET II FRFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、FPD TV 电源、计算电源、照明和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCB110N65F
- 商品编号
- C132715
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.728克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@3.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
SuperFET® II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 SuperFET® II FRFET® MOSFET将快速且更耐用的本征体二极管性能与快速开关特性相结合，旨在实现更高的可靠性和效率，尤其适用于谐振开关应用。 SuperFET® II FRFET®非常适合开关电源应用，如服务器/电信电源、太阳能逆变器、平板电视电源、计算电源、照明和工业电源应用。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 96 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型Qg = 98 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 464 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-太阳能逆变器-计算电源-平板电视电源/照明