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FDP2614
1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP2614
- 商品编号
- C132717
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,31A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 675pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持出色开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- RDS(导通) = 22.9 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 31 A
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(导通)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器-同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源