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FDP032N08B-F102
1个N沟道 耐压:80V 电流:211A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP032N08B-F102
- 商品编号
- C132714
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE6005AS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 5A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ（典型值26mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ（典型值32 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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