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FDB8444
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8444
- 商品编号
- C132716
- 商品封装
- TO-263AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 435pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品概述
30V/314A 栅源导通电阻 RDS(ON) = 1.3 毫欧（典型值）；当栅源电压 VGS = 10V 时 栅源导通电阻 RDS(ON) = 1.7 毫欧（典型值）；当栅源电压 VGS = 4.5V 时100% 经过雪崩测试
- 性能可靠且经久耐用
- 提供无铅且环保的设备（符合 RoHS 标准）
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 70 A 条件下,典型 rDS(on) = 3.9 m Ω
- 在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(TOT) = 91 nC
- 低米勒电荷
- 低 \mathbfQrr 体二极管
- 具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
- 通过 AEC Q101 认证
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子变速器
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V 系统的主开关
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