FDD8453LZ-F085
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8453LZ-F085
- 商品编号
- C903585
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 118W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
UniFET™ MOSFET是仙童半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 3.8 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 300 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值12 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值11 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD防护能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-照明-不间断电源-交直流电源