FDD6N50TM-F085
FDD6N50TM-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6N50TM-F085
- 商品编号
- C903581
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过专门设计，可降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 6A、500V,VGS = 10V时RDS(on) = 0.9Ω
- 低栅极电荷(典型值12.8nC)
- 低Crss(典型值9pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- LED电视
- 消费电器
- 照明
- 不间断电源