FDD6N50FTM
1个N沟道 耐压:500V 电流:5.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6N50FTM
- 商品编号
- C903580
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。该 MOSFET 专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制,UniFET FRFET MOSFET 的体二极管反向恢复性能得到了增强。其 trr 小于 100ns,反向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns,而普通平面 MOSFET 分别为 200ns 以上和 4.5V/ns。因此,在 MOSFET 体二极管性能至关重要的某些应用中,它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示 (FPD) 电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 950 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 2.75 A
- 低栅极电荷(典型值 15nC)
- 低 Crss(典型值 6.3pF)
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-LCD/LED/PDP 电视-照明-不间断电源-AC-DC 电源