FDD6N50FTM
1个N沟道 耐压:500V 电流:5.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6N50FTM
- 商品编号
- C903580
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V,2.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 8 A时，最大导通电阻rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 4.6 A时，最大导通电阻rDS(on) = 37 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 与其他沟槽技术相比，栅极电荷Qg和栅漏电荷Qgd极低
- 开关速度快
- 经过100%非钳位感性负载（UII）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换