FDD6N20TM
1个N沟道 耐压:200V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6N20TM
- 商品编号
- C903579
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 2.3 A 时,RDS(on) = 600 m Ω(典型值)
- 低栅极电荷(典型值4.7 nC)
- 低 C\text rss(典型值6.3 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-消费电器-照明-不间断电源