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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD6N20TM

1个N沟道 耐压:200V 电流:4.5A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD6N20TM
商品编号
C903579
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V,2.3A
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)6.1nC@10V
输入电容(Ciss)230pF@25V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时,典型漏源导通电阻 (RDS(on)) = 2 mΩ
  • 当栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 80 A 时,典型总栅极电荷 (Qg(tot)) = 73 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电子转向
  • 集成式起动机/交流发电机
  • 分布式电源架构和电压调节模块 (VRM)
  • 12V 系统的主开关

数据手册PDF