FDD5N50FTM-WS

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDD5N50FTM-WS
商品编号: C903574
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.085克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	3.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.25Ω@10V
	耗散功率(Pd)	40W
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	11nC

商品概述

UniFETTM MOSFET是安森美半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制,UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒,反向dv/dt抗扰度为15V/ns,而普通平面MOSFET的trr和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5V/ns。因此,在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中,它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。

商品特性

RDS(on) = 1.25 Ω(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 1.75 A
低栅极电荷(典型值11 nC)
低 Crss(典型值5 pF)
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
符合RoHS标准

应用领域

-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源-交流-直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	490pF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	66pF
	栅极电压(Vgs)	±30V