温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ECH8693R-TL-W
2个N沟道 耐压:24V 电流:14A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该功率MOSFET具有低导通电阻的特点，适用于便携式设备的电源开关等应用，尤其适合1-2节锂离子电池应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8693R-TL-W
- 商品编号
- C890603
- 商品封装
- SOT-28FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合用于1 - 2节锂离子电池应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 2.5 V驱动
- 共漏极类型
- 带ESD二极管保护的栅极
- 内置栅极保护电阻
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 1 - 2节锂离子电池充放电开关