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ECH8693R-TL-W实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ECH8693R-TL-W

2个N沟道 耐压:24V 电流:14A

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描述
该功率MOSFET具有低导通电阻的特点,适用于便携式设备的电源开关等应用,尤其适合1-2节锂离子电池应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
ECH8693R-TL-W
商品编号
C890603
商品封装
SOT-28FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)24V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
配置共漏
类型N沟道

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