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ECH8690-TL-H
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8690-TL-H
- 商品编号
- C890601
- 商品封装
- ECH-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF@Pch | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@Pch | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道导通电阻：RDS(on) = 42 mΩ（典型值）
- P沟道导通电阻：RDS(on) = 73 mΩ（典型值）
- 4V驱动
- N沟道+P沟道MOSFET
- 内置保护二极管
- 符合无卤要求