- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ECH8663R-TL-H
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8663R-TL-H
- 商品编号
- C890600
- 商品封装
- ECH-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 低导通电阻
- 2.5V驱动
- 共漏极类型
- 内置保护二极管
- 内置栅极保护电阻
- 最适合用于锂电池充放电开关
- 符合无卤要求