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CMD8447B
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术生产，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的漏源击穿电压（BVDSS）能力，在应用中提供卓越的性能优势。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD8447B
- 商品编号
- C6939709
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术制造,可实现低导通电阻(RDS(on))和优化的漏源击穿电压(BVDSS)能力,在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 当栅源电压(VGS)为10 V时,最大导通电阻(rDS(on))为15.5 mΩ
- 当栅源电压(VGS)为4.5 V时,最大导通电阻(rDS(on))为21 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
-逆变器-电源