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CMH18N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的交直流应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻、低输入电容和低反向传输电容，以及有保证的雪崩能力，该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH18N65
- 商品编号
- C6939723
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.025556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
CMH18N65采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具有低导通电阻RDS(on)、低输入电容Ciss和低反向传输电容Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 650V、典型值0.46Ω、18A的N沟道MOSFET
应用领域
- 开关应用