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CMH18N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的交直流应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻、低输入电容和低反向传输电容，以及有保证的雪崩能力，该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH18N65
- 商品编号
- C6939723
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.025556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@18A | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
CMN2328TM将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光源等领域的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 103mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 108mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 系统开关