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CMP40N20P
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
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- 描述
- 40N20P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP40N20P
- 商品编号
- C6939737
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低导通电阻RDS(on)可确保功率损耗最小并节约能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括DC-DC转换器，以及便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话）的电源管理。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
- DC-DC转换器-笔记本电脑电源管理-便携式设备和电池供电系统