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CMSA4932L
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- CMSA4932L采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA4932L
- 商品编号
- C6939760
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA018DN10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流
- DC/AC逆变器