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P1403E
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- P1403E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- P1403E
- 商品编号
- C6939784
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
P1403E采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 更低的导通电阻
- 100%保证耐雪崩能力
- 驱动要求简单
应用领域
-负载开关-笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
- P3004ND5G
- TIP122
- TIP127
- DW-12-12-L-D-535
- DW-12-12-L-D-590
- ZW-04-15-T-S-380-078
- DW-12-12-L-S-710
- ZW-04-19-G-D-826-251
- ZW-04-20-G-S-850-180
- ZW-04-20-S-D-650-180
- DW-12-13-G-D-300
- ZW-05-08-G-S-330-100
- DW-12-13-G-D-800
- DW-12-13-G-T-900
- DW-12-13-L-D-750
- ZW-05-09-G-S-250-240
- ZW-05-09-S-D-387-105
- DW-12-14-F-D-1060
- DW-12-15-F-D-284
- ZW-05-09-T-S-300-235
- DW-12-15-F-S-430