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P3004ND5G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 描述
- P3004ND5G采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- P3004ND5G
- 商品编号
- C6939785
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ；20mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF；650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF；200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF；100pF |
商品概述
CMSA8059采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并最大限度降低电源转换应用的损耗。
商品特性
- 30V 16A,VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 20mΩ
- VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 40mΩ
- -30V -16A,VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 20mΩ
- VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 25mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-电源管理-负载开关-DC/DC转换器
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