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CMSC7341
1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- CMSC7341将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。P沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC7341
- 商品编号
- C6939765
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
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购买数量
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起订量：5 个5000个/圆盘
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