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MJD112T4G
NPN 100V 2A
- 描述
- 器件采用具有“基极岛”布局的平面技术和单片达林顿配置制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和非常低的饱和电压。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- MJD112T4G
- 商品编号
- C6939779
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.5V |