温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMU16N25
1个N沟道 耐压:250V 电流:16A
- 描述
- 这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU16N25
- 商品编号
- C6939770
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.648125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个80个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单