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CMSA8059
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- CMSA8059采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA8059
- 商品编号
- C6939762
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的封装技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 4.0mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
-计算领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器