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CMS8125B
1个P沟道 耐压:25V 电流:18A
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- 描述
- CMS8125B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS8125B
- 商品编号
- C6939753
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 564pF |
商品概述
CMSA016N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON)=7.0mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON)=9.0mΩ
- 超低导通电阻
- 表面贴装封装
应用领域
- 逆变器开关
- 同步整流器
- 负载开关
- DC/DC转换器