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CMSA016N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- CMSA016N10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA016N10
- 商品编号
- C6939755
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSA016N10采用先进的SGT技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 18mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 小尺寸封装(5x6mm),适合紧凑设计
- 降低开关损耗
应用领域
-计算机、服务器和负载点的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器