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CMSA018DN10
2个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- CMSA018DN10采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。双N沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA018DN10
- 商品编号
- C6939756
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMSC7404D旨在提供一个高效同步降压功率级，实现最佳布局和电路板空间利用。该器件非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。
商品特性
~~- N沟道MOSFET-低导通电阻-表面贴装封装-符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流-同步降压