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CMP8N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.5A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP8N60
- 商品编号
- C6939745
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN3415M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 38mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关