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CMS4892B
2个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- CMS4892B采用先进技术，可提供低导通电阻、高开关性能和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4892B
- 商品编号
- C6939749
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
40N20P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 135mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 150mΩ
- 采用表面贴装封装的双MOSFET
- 极低的导通电阻RDS(ON)
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理-不间断电源(UPS)