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CMS50P03A
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- CMS50P03A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS50P03A
- 商品编号
- C6939750
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMS65N03采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM应用中的同步开关。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 12mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 20mΩ
- 超低导通电阻。
- 表面贴装封装。
应用领域
- 逆变器开关
- 同步整流器
- 负载开关
- DC/DC转换器