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CMS65N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- CMS65N03采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为PWM应用中的同步开关。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS65N03
- 商品编号
- C6939751
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过专门优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 原创全新设计
- 100%雪崩测试
- 极低的固有电容
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源
- 无极灯