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CMP75NF75A
1个N沟道 耐压:80V 电流:80A
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- 描述
- 75NF75A是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP75NF75A
- 商品编号
- C6939742
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.797克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 240W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@40A | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -25℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
16N50采用先进的平面条纹DMOS技术，具备出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，能够承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器
- 适配器
- 电源