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CMP40N25P
1个N沟道 耐压:250V 电流:40A
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- 描述
- 40N25P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以实现出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP40N25P
- 商品编号
- C6939738
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
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