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CMN2328TM
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.5A
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- 描述
- CMN2328TM将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费电子、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2328TM
- 商品编号
- C6939727
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMD607A采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 103mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 108mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 系统开关