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CMN3100M
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- CMN3100M采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3100M
- 商品编号
- C6939728
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMN3100M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关