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CMP006N12B
1个N沟道 耐压:120V 电流:100A
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- 描述
- 006N12B采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP006N12B
- 商品编号
- C6939732
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMF60N20是一款N沟道功率MOSFET。它专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 可靠耐用
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 逆变器系统中的电源管理
- 电机驱动器