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CMN2302M
1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度工艺。低导通电阻rDS(on)可确保功率损耗降至最低并节约能源，使该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括电源开关，以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2302M
- 商品编号
- C6939725
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
80N04是一款具有极高单元密度的N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷性能。
商品特性
~~- 驱动要求简单-开关速度快-导通电阻低
应用领域
- LED电源控制器-DC-DC和DC-AC转换器-大电流、高速开关-螺线管和继电器驱动器-电机控制、音频放大器